LQG18HN4N7S00D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лент..
7.19 ₽
LQG18HN5N6S00D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лент..
4.63 ₽
LQG18HN6N8J00D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лента на..
4.69 ₽
LQG18HN8N2J00D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лента на..
5.64 ₽
LQG18HNR10J00D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 900мОм по постоянному току 0603 лента на..
3.33 ₽
LQH1210-1R0M-0.445A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 445мА DCR 0.5Ом 20Q..
9.86 ₽
LQH1210-2R2M-0.6A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 600мА DCR 0.169Ом..
7.01 ₽
LQH1812-100K-0.4A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 400мА DCR 0.56Ом..
16.39 ₽
LQH1812-100K-0.65A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 650мА DCR 0.24Ом..
10.87 ₽
LQH1812-471K-0.08A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1кГц 470мкГн ±10% 80мА DCR 11.8Ом..
10.87 ₽
LQH2MCN100K02L
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 225мА, 1,56Ом по постоянному току, 0806 лента на катушке..
13.90 ₽
LQH2MCN330K02L
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 160мА, 2,8Ом по постоянному току, 0806 лента на катушке..
8.49 ₽
Показано с 1621 по 1632 из 9362 (всего 781 страниц)
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
Продолжая использовать настоящий сайт, вы даёте согласие на использование файлов «cookie» и обработку персональных данных согласно Политике конфиденциальности.