Транзисторы

По умолчанию Цена

FDV302P

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт..

20.31 ₽

FDV303N

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт..

6.36 ₽

FDV304P

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт..

7.25 ₽

FDV305N

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт..

16.87 ₽

FF100R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт..

6330.67 ₽

FF150R12KE3G

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А..

6431.77 ₽

FF150R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт..

6447.16 ₽

FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A..

8124.49 ₽

FF2MR12KM1PHOSA1

Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток..

66127.53 ₽

FF300R12KE3HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт..

12590.31 ₽

FF300R12KS4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 370 А..

12179.85 ₽

FF300R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А..

6739.64 ₽

Показано с 913 по 924 из 11068 (всего 923 страниц)

МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ

Вы недавно смотрели

Вилочный разъем, горизонтальный, два контакта на полюс, на плату, шаг: 7.62 мм, 8 полюсов, фиксация на плате пайкой, исполнение: с..

0.00 ₽