SGM50HF12A1TFD
..
1674.43 ₽
SKIIP11NAB126V1
..
5949.33 ₽
SKIIP24NAB126V10
Силовой модуль IGBT; диодно-транзисторный; IGBT трехфазный мост 40А..
9099.19 ₽
SKIIP35NAB126V1
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А..
12849.88 ₽
SKIIP39AC065V2
..
9730.61 ₽
SKM100GB12T4
Биполярный транзистор IGBT..
4385.62 ₽
SKM145GB066D
Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 195А..
5969.82 ₽
SKM195GB066D
Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А..
9221.14 ₽
SKM200GB125D
Силовой модуль IGBT N-канальный сдвоенный 1200В 200А..
8774.69 ₽
SKM200GB12E4
IGBT модуль, 1200 В, 314 А..
7419.24 ₽
SKM300GAL12T4
Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А..
6591.32 ₽
SKM300GB12E4
Биполярный транзистор IGBT..
0.00 ₽
Показано с 301 по 312 из 323 (всего 27 страниц)
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
Вы недавно смотрели
Закрытое основание разъема 71.331.2435.1
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 24B, с уплотнителем, 1 отверстие с резьбой для кабельных вводов M25x1,5, с левым..
3935.84 ₽
OWP2004H
Источник питания повышенной мощности 45V 100A 2000W, разрешение 1мВ/0,1мА..
206065.49 ₽
Продолжая использовать настоящий сайт, вы даёте согласие на использование файлов «cookie» и обработку персональных данных согласно Политике конфиденциальности.