Наличие:
Предзаказ
9431.00 ₽
2 или больше - 9368.63 ₽
3 или больше - 9294.85 ₽
4 или больше - 9204.51 ₽
5 или больше - 9088.02 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Вы недавно смотрели
Открытое основание разъема S3A-BM-SE-1L.M
Основание разъема на панель, открытое, типоразмер 3A, угол 90 град., без уплотнителя, с одной защелкой, без защитной крышки, матер..
0.00 ₽
Закрытое основание разъема D10B-SFH-1L-M32
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 10B, высокое исполнение, с уплотнителем, 1 отверстие с резьбой для кабельных вво..
0.00 ₽
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
