Наличие:
В наличии
100.39 ₽
6 или больше - 98.96 ₽
12 или больше - 97.12 ₽
24 или больше - 94.68 ₽
47 или больше - 91.24 ₽
Минимальное количество заказа этого товара 3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Вы недавно смотрели
Закрытое основание разъема H6B-SMH-1L-M32
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 6B, высокое исполнение, с уплотнителем, 1 отверстие с резьбой для кабельных ввод..
0.00 ₽
Закрытое основание разъема HPR10B-SM-2B-M40
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 10B, с уплотнителем, 1 отверстие с резьбой для кабельных вводов M40x1,5, винтова..
0.00 ₽
STQ2LN60K3-AP
..
46.33 ₽
Закрытое основание разъема H6B-SMH-1L-2M32
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 6B, высокое исполнение, с уплотнителем, 2 отверстия с резьбой для кабельных ввод..
0.00 ₽
Закрытое основание разъема HPR24B-SM-2B-M25
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 24B, с уплотнителем, 1 отверстие с резьбой для кабельных вводов M25x1,5, винтова..
0.00 ₽
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
Продолжая использовать настоящий сайт, вы даёте согласие на использование файлов «cookie» и обработку персональных данных согласно Политике конфиденциальности.