Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)

По умолчанию Цена

C3M0120090J

0.00 ₽

C3M0120090J-TR

1258.92 ₽

C3M0120100J

0.00 ₽

C3M0280090J

0.00 ₽

C3M0350120D

0.00 ₽

DFS36FB14EYQ1

Blocking Voltage 1400V Si3N4 AMB High Reliability Epoxy ResinPotting Technology Highly Reliable..

7338.81 ₽

E3M0075120K

0.00 ₽

G3R30MT12J

Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт..

4932.75 ₽

IMZA120R014M1HXKSA1

Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный 1200В 127A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба..

3328.42 ₽

MXP120A045FE-T1GE3

0.00 ₽

NF3M45170K

SIC MOSFET 1700В, 72А, корпус TO-247-4..

0.00 ₽

NSF040120L3A0Q

1863.50 ₽

Показано с 25 по 36 из 120 (всего 10 страниц)

МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ

Вы недавно смотрели

C2M0080120D

Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247..

1609.86 ₽

ДВП8

Держатель предохранителя 8*50мм Umax=600V..

1026.43 ₽

Устройство защиты от перенаряжений, тип защиты: ограничительный диод, номинальное напряжение: 48V DC, номинальный ток: 2A, ширина:..

0.00 ₽

MI12864MO-Y

OLED 2.42", 128x64, Yellow color, интерфейсы: 8 битный паралл./SPI/I2C, контроллер SSD1305, VDD = 2.4 ... 3.5 В, -40...+70С..

1557.53 ₽

Капсюль динамический D=50мм, 8 Ом, 0.5 Вт..

106.92 ₽