Наличие:
Предзаказ
33.13 ₽
100 или больше - 29.88 ₽
200 или больше - 27.49 ₽
400 или больше - 25.59 ₽
780 или больше - 23.93 ₽
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Вопросов: 0
Captcha

Нет вопросов об этом товаре.

Вы недавно смотрели
B82477G4823M
ЧИП-индуктивность экранированная 82мкГн ±20%, 1.9A, 0.145 Ом..
53.35 ₽
DLW5BSN351SQ2L
Дроссель синфазный SMD 2020 2A 40mOhm/DC 350Ohm/100MHz..
135.63 ₽
PBSS3540M,315
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.5 А..
0.00 ₽
B82472G6473M
ЧИП-индуктивность экранированная 47мкГн ±20%, 1A, 0.2 Ом..
68.15 ₽
L-KLS1-125-4-159-20-30
..
380.46 ₽
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
Продолжая использовать настоящий сайт, вы даёте согласие на использование файлов «cookie» и обработку персональных данных согласно Политике конфиденциальности.