SI2301BDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт..
30.62 ₽
SI2301CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт..
8.64 ₽
SI2302
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.1A SOT-23..
1.63 ₽
SI2302CDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт..
28.16 ₽
SI2302CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт..
13.79 ₽
SI2304DDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт..
10.46 ₽
SI2305CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт..
8.62 ₽
SI2307CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A..
20.15 ₽
SI2308BDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт..
30.39 ₽
SI2309
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2А..
5.24 ₽
SI2309CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт..
21.00 ₽
SI2312BDS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A..
27.12 ₽
Показано с 1093 по 1104 из 6409 (всего 535 страниц)
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
Вы недавно смотрели
MLZ2012DR10DT
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100нГн ±20% 25МГц феррит 1.15A 91мОм по постоянному току 0805 лента на катушке..
0.00 ₽
Продолжая использовать настоящий сайт, вы даёте согласие на использование файлов «cookie» и обработку персональных данных согласно Политике конфиденциальности.