Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)

По умолчанию Цена

C2M0040120D

Транзистор полевой MOSFET N-канальный на основе карбида кремния 1200В 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247..

3152.44 ₽

C2M0080120D

Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247..

1513.97 ₽

C2M0160120D

Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247..

975.34 ₽

C2M1000170D

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 4.9A TO247, 69Вт..

1305.43 ₽

C3M0030090K

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 73А 4-Pin(4+Tab) TO-247..

4900.35 ₽

C3M0040120K

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 66А 4-Pin(4+Tab) TO-247..

757.17 ₽

C3M0120090D

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 23А автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247..

1096.39 ₽

C3M0160120D

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 17А TO-247-3..

798.18 ₽

C3M0350120J

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 7.2А TO-263-7..

603.02 ₽

IMBG65R260M1HXTMA1

Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 650В 6А, 65Вт..

350.80 ₽

SCT30N120

Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247..

2065.07 ₽

SCTH50N120-7

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 туба..

1986.44 ₽

Показано с 1 по 12 из 128 (всего 11 страниц)

МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ

Вы недавно смотрели

3-1827233-6

Составной разъем платы, Серия FSI, 440 контакт(-ов), Штекер, 0.5 мм, Поверхностный Монтаж..

1907.03 ₽

B82498B3151J

ЧИП-индуктивность общего назначения проволочная 0.15мкГн ±5% 100МГц 35Q-Фактор керамика 0.27A 0.44Ом 0805 лента на катушке..

131.98 ₽