MMBFJ202
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт..
20.25 ₽
MMBFJ270
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт..
20.82 ₽
MMBFU310LT1G
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт..
18.02 ₽
PF5102
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 625 мВт..
7.96 ₽
2SJ168(TE85L,F)
..
92.04 ₽
2SJ168TE85LF
..
29.88 ₽
2SJ305(F)
..
72.02 ₽
2SJ360(TE12L,F)
Транзистор полевой P-канальный 60В 1A..
50.89 ₽
2SK208-GR(TE85L,F
..
12.39 ₽
2SK208-GR(TE85L,F)
MOSFET N-CH S-MINI FET..
11.11 ₽
2SK208-R(TE85L,F)
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 50 В, 0.1 Вт..
141.29 ₽
2SK208-Y(TE85L,F)
..
14.76 ₽
Показано с 13 по 24 из 64 (всего 6 страниц)
МЫ ЯВЛЯЕМСЯ ОФИЦИАЛЬНЫМИ ДИСТРИБЬЮТЕРАМИ
Вы недавно смотрели
Закрытое основание разъема H10B-SM-1L-PC-PG16
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 10B, с уплотнителем, 1 отверстие с резьбой для кабельных вводов PG16, с одной ме..
0.00 ₽
Закрытое основание разъема H10A-SM-1L-PCG-PG16
Основание разъема на панель, закрытое, типоразмер 10A, без уплотнителя, 1 отверстие с резьбой для кабельных вводов PG16, с одной м..
0.00 ₽
Продолжая использовать настоящий сайт, вы даёте согласие на использование файлов «cookie» и обработку персональных данных согласно Политике конфиденциальности.